大陽日酸、先進的な窒化物半導体デバイスの研究開発を支援

大陽日酸（東京都品川区、永田研二社長）は７月７日、ポーランドの科学アカデミー高圧物理研究所Ｕｎｉｐｒｅｓｓに複数台の同社製ＭＯＣＶＤ装置を納入することが決まったと発表した。同装置は、原料に有機金属やガスを用いながら基盤上に化合物半導体の成膜を行う。

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Ｕｎｉｐｒｅｓｓに納入するＭＯＣＶＤ装置（型式＝ＳＲ４０００ＨＴ）は、同研究所で確立した世界クラスのＧａＮバルク結晶成長技術と組み合わせることを可能とし、窒化物材料のエピタキシャル成長（半導体製造の薄膜結晶成長技術のひとつで半導体の単結晶の基板上に新しく単結晶の薄膜を成長させること）の研究開発を促進する。また、その他のワイドバンドギャップ半導体（電子やホールが価電子帯から伝導体に遷移するためのエネルギー値が高い半導体）にも用いられ、窒化物半導体の開発に貢献することが期待される。

同社はＵｎｉｐｒｅｓｓと協力し、先進的な窒化物半導体デバイスの研究開発を支援することで、同社製ＭＯＣＶＤ装置のグローバル市場での優位性が促進されると見込んでいる。